晶呈科技请求发光二极管封装结构及其制备办法专利可提高工艺功率、良率并削减相关本钱

  

晶呈科技请求发光二极管封装结构及其制备办法专利可提高工艺功率、良率并降低本钱

  金融界2024年10月18日音讯,国家知识产权局信息数据显现,晶呈科技股份有限公司请求一项名为“发光二极管封装结构及其制备办法”的专利,公开号 CN 118782689 A,请求日期为 2023 年 12 月。

  专利摘要显现,本发明供给一种发光二极管封装结构的制备办法,其包括下列过程。供给基板。进行装备过程,是将发光二极管与虚设插塞设置于基板。进行涂布过程,是将可图画化资料涂布于基板,并包覆发光二极管与虚设插塞。进行图画化过程,是对可图画化资料来图画化。进行堆积过程,使导电层构成于可图画化资料的一侧,且触摸并电性衔接发光二极管与虚设插塞。进行保护层构成过程,使保护层构成于导电层的一侧。进行剥离过程,以构成发光二极管封装结构。导电层的原料包括氧化铟锡资料或通明导电资料。借此,可提高工艺功率、良率并削减相关本钱。



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