多模干与耦合器MMI介绍

  如下图所示，在平板波导中，左边的光源Q在沿着光传输的方向上，将周期性地呈现其像Q1，Q2，...[1]

  关于Si层在3-11um这种厚度下的SOI波导的剖析发现，在MMI区域纵向存在多模效应，然后使得MMI成像不完善，损耗加大，均匀性下降。分别在输入输出波导与MMI的衔接处引进taper结构，使纵向多模的激起比重减小，然后减小纵向多模对成像的影响。

  以均匀性和附加损耗为点评MMI成像质量的性能目标，定量调查MMI的特性。调查taper结构对按捺纵向多模效应的作用[2]。

  附加损耗界说为一切输出端口的光功率总和相关于悉数输入光功率的削减值，用分贝来表明。其数学表达式为：

  不均匀度是衡量MMI各输出端口分光不均匀程度的目标，一般用在完成持平分光的MMI耦合器中。不均匀度界说为输出端口最小光功率与最大光功率比，咱们对比值取对数，单位为dB，则：

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