泉州三安半导体科技有限公司请求发光二极管及发光设备专利进步绝缘层与焊盘电极的粘附性

  金融界2024年11月15日音讯，国家知识产权局信息数据显现，泉州三安半导体科技有限公司请求一项名为“发光二极管及发光设备”的专利，公开号CN 118943266 A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本请求供给了一种发光二极管及发光设备。发光二极管包含：发光外延层包含顺次层叠的榜首导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；绝缘层构成于所述发光外延层上，包含榜首通孔和第二通孔焊盘电极构成于所述绝缘层上所述焊盘电极包含榜首焊盘电极和第二焊盘电极，所述榜首焊盘电极经过所述榜首通孔与所述榜首导电类型半导体层电衔接，所述第二焊盘电极经过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电衔接；其间，所述绝缘层在榜首波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述榜首波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。本请求经过增大焊盘电极与绝缘层的触摸面积，然后添加绝缘层与焊盘电极触摸的表面积进步绝缘层与焊盘电极的粘附性。

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