戴尔采用Navitas的GaNFast IC作为笔记本适配器快充

  Navitas半导体公司表示，戴尔首次使用其GaNFast氮化镓（GaN）技术的功率IC。

  Navitas成立于2014年，推出了据称是首款商用GaN功率IC。该公司表示，其专有的“AllGaN”工艺设计套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模拟和逻辑电路单片集成，从而为移动，消费类，企业级，电动汽车和新能源市场应用提供了更快的充电速度，更高的功率密度和更多的能耗节省。

  戴尔USB-C增强型电源适配器PA901是一款双输出快速充电器，可通过USB-C电缆提供90W功率，可为笔记本电脑进行大功率充电；另外，通过USB-A还可提供10W功率，可同时为智能手机充电。该适配器采用Dell Express Charge技术，在短短15分钟内将电源快速提升35％，并将在一小时内为Dell Latitude充到80％电量。

  Navitas表示，GaNFast电源IC集成了具有驱动，控制和保护功能的GaN FET，与基于硅的解决方案相比，其功率密度为原来的三倍。有必要注意一下的是，在已交付的超过900万颗GaNFast电源IC中，故障数量为零。

  Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示，GaNFast技术可实现小尺寸，轻便和散热等愿景，这对于移动快充至关重要。他补充说：“戴尔采用快充的GaN对旧的，进步缓慢的硅技术是一次冲击。Navitas的设计，应用程序和质量团队与Dell进行了一系列严格的技术，性能和可靠性审查，以确保安全、成功地启动适配器。”

  Dell适配器中使用了两种NV6117 GaNFast电源IC：一种用于临界传导模式（CrCM）升压功率因数校正电路（PFC），另一种用于DC-DC准谐振（QR）反激。该适配器是由Chicony Power Technology为Dell设计和制造的，并得到当地Navitas应用工程的支持。

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  新浪科技讯 北京时间6月18日消息，据国外新闻媒体报道，消息人士称，英特尔正在修改与顶级客户之间的定价政策，戴尔等系统装机商以往享受的价格实惠将被取消。 据一位从事渠道工作的业内高管称：“他们(指英特尔)完全摒弃了以往的定价模式。”此消息目前已得到多位从事PC制造、分销的人士及系统装机商的证实，但由于英特尔尚未正式公布新价格政策，因此他们不愿公布姓名。 据悉，新定价政策有望于7月底开始实施。英特尔发言人拒绝就此发表评论，称英特尔不会透露与客户之间的定价信息。 消息人士称，根据新价格政策，英特尔将不再与大客户单独签订折扣协议，这中间还包括顶级OEM制造商及直销商。直接从英特尔进货的OEM制造商拿到的折扣与通过渠道拿货的

  2023 年 10 月 9 日 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。 CGD 的 ICeGaN 已使用台积电的 GaN 工艺技术为全球客户进行大批量生产，将典型外部驱动电路的复杂性引入单片集成的 GaN HEMT 中。这一概念减少了 PCB 级的元件数量，并明显提高功率晶体管和总系统的稳健性和可靠性，同时使用户能将其与所选的栅极驱动器耦合。这一

  上海，2012年11月20日 –富士通半导体（上海）有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这一些器件可大范围的使用在电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。 与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和可以有效的进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而能够通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富士通半导体自2009年起就在开发批量生产技术。此外，富士通半导体自2011年起开始向

  功率器件 /

  随着混合动力汽车/电动汽车（HEV / EV）平台销量猛增，据Strategy Analytics预测，到2026年，对电力电子元件的需求将占HEV / EV动力系统半导体总成本的55％以上。在 Strategy Analytics日前发布的“HEV-EV半导体技术展望：SiC和GaN将发挥何种作用”的报告中显示，提高车载电子的系统效率需要碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等基础元件，这就为汽车半导体行业未来创造更高的利润率和盈利机会。 硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和肖特基势垒二极管（SBD）将继续主导电力电子领域，但SiC和GaN慢慢的开始增长，2026年预计将占据汽车功率半导体市

  据外媒bgr报道称，下图出现的人物中有两个共同点：第一，他们看起来非常神采奕奕，看起来像是在走红毯的明星；第二，他们根本不存在。据了解，图片中的这些人都是由英伟达强大的AI创造出来。这套由英伟达研究部门开发的新AI系统叫GAN，全称Generative Adversarial Network。 不过这套系统也并非能做到完全完美，偶尔它也会生成一些奇怪的结果，见下图： 然而即便存在这样的缺陷，GAN仍旧非常有发展前途，英伟达也打算对它继续研究下去，进而打造更加可靠的系统。

  2018年3月8日，北京讯——德州仪器（TI）(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET没办法实现的5倍更小尺寸解决方案。 凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片（WCSP）封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助

  电源产品组合 /

  日前，在2024 Elexcon深圳电子展上，英飞凌科技副总裁，消费、计算与通信业务大中华区市场营销负责人刘伟介绍了英飞凌在功率领域的布局。英飞凌目前是市场上不多的能够给大家提供全面功率产品组合的企业，涵盖了几乎所有功率技术——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），功率等级从微安到兆瓦应有尽有，包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化镓增强型 HEMT、功率分立式元件、保护开关、硅驱动器、氮化镓驱动器、IGBT 模块、智能功率模块（IPM）、线性调节器、电机控制解决方案、LED 驱动器以及各种交流-直流、直流-交流和数字功率转换。 刘伟以一张图来概括英飞凌针对能源全链条场景的产品布局，可以涵盖电力的每个方面，包括发

  受惠于5G即将迈入商转及车用电子、物联网大势所趋，第三代半导体材料氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）进入快速成长期，国际IDM大厂高端产品相继跨入第三代半导体材料制程，台积电、世界先进GaN制程投片量大增，今、明两年进入收割期。 台积电与世界先进着手研发GaN制程技术多年，技术成熟进入量产，目前台积电6英寸产能开出GaN制程提供德商戴乐格（Dialog）产出电源转接芯片；而世界先进则与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作，在去年陆续为电源管理IC客户开出8英寸产能。 Dialog指出，以GaN生产电源转换控制器具备高效率、体积小、更高功率优异特性，带来全世界最快速的电晶体。集邦科技旗下拓墣产业研究指

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