厦门士兰明镓化合物半导体获得发光二极管专利操控开口形状即可操控发光形状

  

厦门士兰明镓化合物半导体获得发光二极管专利操控开口形状即可操控发光形状

  金融界2024年11月8日音讯,国家知识产权局信息数据显现,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司获得一项名为“发光二极管”的专利,授权公告号CN 221961001 U,请求日期为2023年12月。

  专利摘要显现,本实用新型施行例公开了一种发光二极管,该发光二极管从下到上顺次包含衬底、外延层、介质层和电流扩展层。外延层从下到上顺次叠置榜首半导体层、多量子阱层和第二半导体层。介质层掩盖外延层的外表和侧壁,介质层的中心区域具有开口,电流扩展层掩盖从开口中显露的第二半导体层并延伸掩盖部分介质层的外表。发光二极管中还设置与第二半导体层电衔接的榜首焊盘以及与榜首半导体层电衔接的第二焊盘。当榜首焊盘和第二焊盘导通时,从开口中显露的第二半导体层以及榜首半导体层导通发光二极管的发光形状与开口形状相同本实用新型施行例通过上述结构,供给了通过操控开口形状即可操控发光形状的发光二极管。



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