湖南蓝芯微电子请求下降漏电危险的高压发光二极管专利下降漏电危险

  金融界2024年11月15日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南蓝芯微电子科技有限公司请求一项名为“下降漏电危险的高压发光二极管及其制备办法”的专利，公开号CN 118943254 A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本发明触及发光二极管芯片制备技术领域，详细触及下降漏电危险的高压发光二极管及其制备办法。其办法有在衬底上顺次成长N型GaN层、发光量子阱及P型GaN层；制造N区台阶、绝缘刻蚀道及绝缘维护孔；刻蚀成形电流阻挡层和电流扩展层，提高了可靠性，削减金线焊接，削减安全维护二极管的增加并完成了高效的电流散布。

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