首要出产8英寸碳化硅衬底的重庆三安项目已完结衬底厂的点亮通线月,三安光电和意法半导体一起官宣在重庆合资建厂,进行8英寸碳化硅(SiC)芯片大规模量产方案,是上一年半导体范畴最招引眼球的跨国合资项目之一。意法半导体是全球半导体有突出贡献的公司,三安光电具有强壮的化合物半导体代工才能,项目估计出资总额达32亿美元(约合人民币228亿元),估计营收将达139亿块钱,将于2028年全面达产。一起,三安光电独立出资70亿元人民币配套建造一座8英寸碳化硅衬底厂。重庆三安意法项目投产后,将更好地支撑我国的轿车电气化、工业电力和动力等使用日渐增加的需求。
重庆三安意法项目由重庆三安半导体有限责任公司和安意法半导体有限公司一起展开建造。成本,“衬底厂”重庆三安由三安光电全资子公司湖南三安于2023年7月全资建立,注册资本18亿人民币,专门干碳化硅晶圆成长、衬造,规划达产年出产才能为8英寸碳化硅衬底48万片,“芯片厂”安意法由湖南三安(51%)与意法半导体(我国)出资有限公司(49%)于2023年8月一起出资建立,注册出资的金额6.12亿美元,规划达产年出产才能为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片。
重庆三安意法项目有条有理建造中,现在正处于设备出场装置调试的要害阶段,衬底厂估计8月底将完结点亮通线月底将全体通线,一年半时刻全体通线这也将发明“国际化碳化硅晶圆厂”新的建造纪录。
此外,8月1日,三安光电在出资者互动渠道泄漏,重庆三安项目估计8月底将完结衬底厂的点亮通线年完结阶段性建造并逐渐投产,2028年达产,规划达产后出产8英寸碳化硅晶圆10,000片/周。