华引芯请求发光二极管封装结构及其制备办法专利可以减小出光视点添加正面出光

  

华引芯请求发光二极管封装结构及其制备办法专利可以减小出光视点添加正面出光

  金融界2024年11月4日音讯,国家知识产权局信息数据显现,华引芯(武汉)科技有限公司、华引芯(张家港)半导体有限公司请求一项名为“一种发光二极管封装结构及其制备办法”的专利,公开号 CN 118888668 A,请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现,本请求供给一种发光二极管封装结构及其制备办法,所述发光二极管封装结构包含发光二极管芯片、色转化膜和榜首反射膜,所述色转化膜设置在所述发光二极管芯片的出光面上,所述榜首反射膜设置在所述色转化膜的侧壁上;其间,所述色转化膜包含在所述发光二极管芯片的出光面上顺次层叠设置的榜首通明维护层、色转化层和第二通明维护层。本请求供给的发光二极管封装结构中,设置在所述色转化膜的侧壁上的所述榜首反射膜可以减小出光视点,添加正面出光,而且,因为所述色转化层的外侧设置有通明维护层,然后可以在研磨过程中,对色转化层进行维护,然后可以使发光二极管封装结构的色温区间处于正常规模,进步发光二极管封装结构的出产良率。



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