压电光电子学效应调制光电器材功能方面获得

  压电光电子学效应是使用压电半导体资料在遭到外加应变时所发生的压电电势/压电电荷调控器材界面/结处的能带结构和光生载流子行为，进而对器材功能进行调制的一种新式效应。近年来，有关压电光电子学效应调制光电器材功能的研讨工作只使用了某一极性（正性或负性）的压电电荷，而忽视了另一极性的压电电荷。关于两种压电电荷耦合效应的剖析与评论一向未见报导。

  近来，西安交通大学微电子学院贺永宁教授课题组青年教师彭文博博士带领博士研讨生李芳沛和潘子健，经过制备n-Si/n-ZnO/p-PEDOT:PSS三层异质结光电勘探器材，初次完成了正性和负性压电电荷在同一光电器材中的使用，并从物理机制动身研讨了压电光电子学效应对器材光呼应功能调控的规则。研讨标明，引进压电光电子学效应后，器材的光呼应度最大提高30倍，灵敏度最大提高20倍。经过选用不一样波长的入射光来测验，不同异质结处正性和负性压电电荷对能带结构和光生载流子行为的调控效果得到了提醒。该项研讨不只完成了压电光电子学效应对n-Si/n-ZnO/p-PEDOT:PSS三层异质结光电勘探器材光呼应功能的调制，而且为压电光电子学效应，特别是正性和负性压电电荷的耦合效应在三层乃至多层器材中的使用供给了试验和理论基础。