(4) B 沿空间恣意方向时, cosθ 最多可有六个不同值,故可以求六个
0.67eV。77k 时Eg＝0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k，锗的
，核算(1)99%电离，(2)90%电离，(3)50%电离时温度各为多少？
18. 掺磷的n 型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一般电离时费米能
20. 制作晶体管一般是在高杂质浓度的n 型衬底上外延一层n 型的外延层，再在
和电子空穴浓度。④如温度上升到500，核算③中电子空穴的浓度（本征载流子
1. 300K 时，Ge 的本征电阻率为 47Ω·cm，如电子和空穴迁移率分别为
2. 试核算本征Si 在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm
3. 电阻率为10 m Ω 的p 型Si 样品，试核算室温时大都载流子和少量载流子浓
500 / cm V s ，因而，核算时分带入较小的一个迁移率数值，也算正确。
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