AFM:双轴极化分子插层完成高功率、高色安稳性钙钛矿发光二极管

  

AFM:双轴极化分子插层完成高功率、高色安稳性钙钛矿发光二极管

  离子搬迁(尤其在钙钛矿/电荷传输层界面)严重威胁钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的安稳性。但是,现有按捺离子搬迁的战略往往献身了有用的电荷注入,约束了器材功用。

  本文西南大学Ping Chen、中国科学院Wei Zhang、重庆文理学院Jiang Cheng和延世大学Jonghee Yang等人提出在界面引进双轴电荷极化分子bi-4-(N-咔唑基苯基)苯基氧化膦(BCPO)作为插层。BCPO的强外表配位效果不只显着提升了金属卤化物钙钛矿(MHPs)发光层的缺点钝化效果与结晶质量,还构成了笔直摆放的偶极矩,诱导能带曲折以促进电子注入。此外,其平面内散布的吸电子咔唑苯基单元与MHPs标明发生严密的横向静电触摸,有用按捺了卤素离子的界面逃逸。基于此,选用BCPO的PeLEDs完成了25.8%的最大外量子功率与13.4小时的T₅₀,EL寿数,是现在功用最优异的绿光PeLEDs之一。

  本作业经过分子结构规划与界面工程的协同战略,为完成高效、色安稳的PeLEDs拓荒了新途径。

  提出“双轴极化”分子规划新理念:BCPO分子在笔直方向构成偶极摆放促进电子注入,水平方向经过咔唑苯基与钙钛矿外表强静电效果捕获卤素离子,完成“注入+阻迁”双功用。

  打破功率-安稳性权衡瓶颈:器材外量子功率达25.8%,T₅₀,EL寿数达13.4小时,是现在归纳功用最优的绿光PeLEDs之一。

  多规范机制深度提醒:结合DFT、KPFM、TOF-SIMS等多种表征,说明BCPO在能带调控、缺点钝化与离子搬迁按捺方面的协同效果机制。

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