京东方华灿光电请求发光二极管及制造的进程专利维护电极包裹反光电极的侧壁及顶面

  

京东方华灿光电请求发光二极管及制造方法专利维护电极包裹反光电极的侧壁及顶面

  国家知识产权局信息数据显现,京东方华灿光电(浙江)有限公司请求一项名为“发光二极管及发光二极管的制造的进程”的专利,揭露号CN121240619A,请求日期为2025年8月。

  专利摘要显现,本揭露供给了一种发光二极管及发光二极管的制造的进程,归于发光器材范畴。该发光二极管包含:外延结构、一次电极、DBR层和二次电极;所述一次电极在所述外延结构上,所述DBR层坐落所述外延结构上且掩盖所述一次电极;所述二次电极包含反光电极和维护电极,所述反光电极穿过所述DBR层与所述一次电极衔接,所述维护电极包裹所述反光电极的侧壁及顶面,且所述维护电极与所述DBR层触摸并掩盖部分DBR层。

  天眼查资料显现,京东方华灿光电(浙江)有限公司,成立于2014年,坐落金华市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。经过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(浙江)有限公司共对外出资了3家企业,参加招投标项目44次,专利信息1034条,此外企业还具有行政许可42个。

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