京东方华灿光电请求改进DBR氧化的发光二极管专利提高发光二极管的稳定性

  

京东方华灿光电请求改进DBR氧化的发光二极管专利提高发光二极管的稳定性

  国家知识产权局信息数据显现,京东方华灿光电(姑苏)有限公司请求一项名为“改进DBR氧化的发光二极管及其制备办法”的专利,揭露号CN121310731A,请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现,本揭露供给了一种改进DBR氧化的发光二极管及其制备办法,归于光电子制作技术领域。该发光二极管包含顺次层叠的n型层、有源层和p型层;所述n型层包含n型DBR层,所述n型DBR层包含替换层叠的多个GaAs层和多个GaAsP层。本揭露施行例能改进DBR简单氧化的问题,提高发光二极管的稳定性。

  天眼查资料显现,京东方华灿光电(姑苏)有限公司,成立于2012年,坐落姑苏市,是一家以从事化学原料和化学制品制作业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。经过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(姑苏)有限公司参加招投标项目100次,专利信息601条,此外企业还具有行政许可49个。

  声明:商场有危险,出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成,仅供参考,不构成个人出资主张。



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