研讨完成面向恣意长程耦合的片上频率组成维度

  团队在片上光学模仿范畴获得重要开展。该团队李传锋教授、唐建顺特任教授等在依据薄膜铌酸锂光芯片的频率组成维度研讨中，提出将模仿的格点约束在一个腔模内的新办法并进行了试验验证，极大地降低了片上频率组成维度的频率要求。12月5日，该效果发表于《物理谈论快报》。审稿人高度评价该效果，“为研讨光芯片上的组成维度拓荒了一条新途径”。

  以光为载体的频率组成维度是近年来鼓起的一种模仿手法，用于研讨不易非直接触摸或观测的物理体系，对验证理论甚至猜测物理现象具有极端重大意义。在许多作业中，研讨者用含电光调制器的光纤环腔完成频率组成维度，其间以距离为自在光谱规模的形式作为格点，用电光相位调制引进格点之间的相互作用，其调制频率一般为自在光谱规模的整数倍。一起，薄膜铌酸锂芯片有高电光系数的天然条件，以及高稳定性和强可扩展性的优势，很合适作为频率组成维度的渠道。

  但是，光芯片上的腔长短，自在光谱规模大，导致曾经的办法所需的调制频率很高，对片上的调制功率以及配套的设备都提出十分高的要求。特别是存在长程耦合时，所需的频率将进一步翻倍，极大地阻止了片上频率组成维度的开展。

  在此次作业中，研讨组为了缓解这一困难，提出可以终究靠运用远小于一个腔模宽度的调制频率，去选出一系列约束在腔模之内的频率作为格点构成组成维度。在合理的近似下，研讨组试验验证了这种办法与传统的完成办法得到的准动量空间的能带彻底符合。试验依据成果得出，在存在8倍和9倍于频率晶格常数的长程耦合时，该办法将试验的频率要求降低了5个数量级以上。

  该作业在极大地缓解高频对片上组成维度带来的困难的一起，也坚持了传统完成办法的拓展性，可以推广应用至更高维的模型中，在薄膜铌酸锂光芯片上完成高维和杂乱的频率组成维度。