京东方华灿光电请求改进发光功率的发光二极管及其制备办法专利提高二极管的功率

  金融界2024年12月12日音讯，国家知识产权局信息数据显现，京东方华灿光电（浙江）有限公司请求一项名为“改进发光功率的发光二极管及其制备办法”的专利，揭露号 CN 119108472 A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本揭露供给了 一种改进发光功率的发光 二极管及其制备办法，属 于光电子制作技能领域。 该发光二极管包含顺次层 叠的榜首半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层包含 多个层叠的发光叠层，各所述发光叠层包含顺次层叠的量子垒 层、低温刺进层和量子阱层，所述低温刺进层和所述量子阱层 均为InGaN层。本揭露施行例能提高发光二极管的发光功率。

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