江西兆驰半导体获得发光二极管芯片专利完成下降榜首发光单元产生ESD爆点的概率

  

江西兆驰半导体获得发光二极管芯片专利完成下降榜首发光单元产生ESD爆点的概率

  金融界2024年12月12日音讯,国家知识产权局信息数据显现,江西兆驰半导体有限公司获得一项名为“一种发光二极管芯片”的专利,授权公告号CN 222126571 U,请求日期为2024年1月。

  专利摘要显现,本实用新型供给一种发光二极管芯片,包含衬底、榜首发光单元及第二发光单元,榜首发光单元包含外延叠层、通明导电层及钝化层,外延叠层上设有台阶结构,其包含榜首台阶面和第二台阶面,榜首台阶面上设有通明导电层,第二台阶面的面积不超越榜首发光单元有用发光面积的15%;第二台阶面上设有榜首导电电极和绝缘层,榜首导电电极贯穿绝缘层与第二台阶面触摸绝缘层掩盖部分通明导电层的外表以及部分榜首台阶面。本实用新型经过减小第二台阶面与榜首发光单元有用发光区域的占比,并在第二台阶面上设置绝缘层,完成下降榜首发光单元产生ESD爆点的概率的意图。



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