中报]芯联集成(688469)：芯联集成电路制造股份有限公司2025年半年度报告

  一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中“四、风险因素”相关的内容。

  五、 公司负责人赵奇、主管会计工作负责人王韦及会计机构负责人（会计主管人员）张毅声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

  本报告中涉及的公司未来发展计划、发展的策略、经营计划等前瞻性描述，不构成公司对投入资产的人的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。

  十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

  金融实物资产投资公司（Asset Investment Company），为中农工建交五大 银行设立的全资控股的金融资产投资公司

  资产管理公司（Asset Management Company），最重要的包含中国东方资产 管理公司、中国信达资产管理公司、中国华融资产管理公司、中国长 城资产管理公司

  息税折旧摊销前利润，计算公式为：息税折旧摊销前利润=总利润+ 财务费用利息支出+折旧+摊销

  常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有 硅、硒、锗等

  应用于电力设备的电能转换和电路控制的器件，是分立器件的重要组 成部分，包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等

  绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGate Bipolar Transistor），是由 BJT（双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱 动式功率半导体器件

  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体 场效应晶体管，是一种可以普遍的使用在模拟电路与数字电路的场效应 晶体管

  制造半导体的衬底（也叫基片）。由于是晶体材料，其形状为圆形，所 以称为晶圆。按其直径大致上可以分为 4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12 英寸等规格

  将生产加工后的晶圆进行切割、焊线塑封，使电路与外部器件实现连 接，并为集成电路提供机械保护，使其免受物理、化学等外因损 伤的工艺

  Radio Frequency，是一种高频交流变化电磁波，频率范围从 300kHz～ 300GHz之间

  高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功率器件，在 平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的基础上，引入电荷 平衡结构

  处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号是指用电参 数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而形成的连续性的电信号

  一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁 移速率较高、热导率极高等性质

  High Voltage Integrated Circuit，高压集成电路

  一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极性晶体 管 Bipolar、CMOS和 DMOS器件，因而被称为 BCD工艺

  Silicon-On-Insulator，简称 SOI，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层 硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层

  系统级芯片（System on Chip，SoC），指在一颗芯片内部集成了功能 不同的子模块，组合成适用于目标应用场景的一整套系统。系统级芯 片往往集成多种不同的组件

  Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser指垂直腔面发射激光芯片。此类 芯片可以将激光垂直发射而出，一方面简化生产工艺流程，另一方面 扩展了下游领域的应用

  智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速 保护电路构成

  特别说明：本报告若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。

  归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润变动的根本原因：报告期内，公司通过不断拓展市场、积极开拓应用领域，有效带动了销售规模的扩大；同时，公司积极推行供应链管控与精益生产管理等降本增效措施，使整体盈利能力得到非常明显提升。

  经营活动产生的现金流量净额变动的根本原因：主要系销售规模扩大，客户回款较上年同期增加。

  对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

  九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用 □不适用

  得益于新能源汽车普及、智能驾驶渗透、数据中心与AI算力需求量开始上涨、新能源行业回暖等多重因素的一同推动，全球半导体行业在经历周期性调整后显现复苏。新能源汽车、人工智能（AI）、消费电子、风光储等细致划分领域对功率器件、模拟IC等产品的需求保持较高增长。根据WSTS预测，2025年全球半导体市场规模预计达到7,009亿美元，增长11.2%。

  中国作为全球最大的汽车、新能源及消费电子市场，其对半导体产品的需求正随着汽车电动化和智能化、AI产业等新兴领域的加快速度进行发展而持续增长。工信部多个方面数据显示，2025年1-5月中国集成电路产量1,935亿块，同比增长6.8%，其中出口集成电路1,359亿个，同比增长19.5%。与此同时，全球经济复杂形势延续，为国内半导体产业提供了发展机遇。

  2025年上半年，中国汽车行业受政策拉动需求有所提升，新能源车市场延续增长态势。根据能源汽车销量达560.8万辆，同比增长44%。乘用车方面，据统计，2025年1-5月中国乘用车零售销量881.7万辆，同比增长9.2%，其中新能源乘用车零售销量435.6万辆，同比增长34.2%，新能源乘用车渗透率达49.4%。与此同时，随只能驾驶数据资源积累，算力、大模型等AI技术的迭代升级，智能驾驶有望从量变到质变，智能化成为当前车企的重点发力点。

  功率半导体作为汽车电子的核心，是新能源汽车中成本仅次于电池的第二大核心零部件。新能源汽车市场的增长和智能化技术的加快速度进行发展，将为功率半导体、模拟IC、传感器等半导体带来广阔增量机遇。

  当前全球智能手机、PC、家电行业延续需求回暖趋势。据 Canalys 数据，在 3C 电子领域，2025年一季度全球智能手机销量约为3.05亿台，同比增长5.4%，全球PC出货量6,270万台，同比增长9.4%。中国手机市场2025年一季度出货量约为0.65亿台，同比增长1.2%，中国PC出货量达890万台，同比增长12%；受益于国补政策， 2025年上半年家电领域行业增长较好，2025年1-4月，中国家用电器和音响器材类社会零售总额增长23.9%。与此同时，AI端侧应用正在加速，有望给手机/PC、可穿戴等硬件产品带来创新和新的机遇，2025 年消费电子行业有望迎来上行周期。

  终端产品的升级换代或将带动消费电子领域MEMS传感器芯片、功率器件及模拟IC等的整体增长，同时AI手机及AIPC搭载大模型带来大量计算、高能耗需求，有望带动电源管理类芯片形成新场景下的增量需求。

  2025年上半年，风光储行业在政策引导与市场需求双轮驱动下，行业继续增长。国家能源局联合相关部委于报告期内密集发布《分布式光伏发电开发建设管理办法》《新型储能制造业高水平质量的发展行动方案》等多项新能源领域政策文件，推动新能源产业从规模扩张阶段向高质量发展阶段转型，为新能源产业迈向高质量提速发展新阶段提供有力支撑。风电领域，2025年1-5月，中国风电装机 5.7 亿千瓦，同比增长 23.1%，海上风电进入建设大年；光伏领域，分布式光伏新政推动光伏“抢装”，2025年1-5月中国太阳能发电装机容量10.8亿千瓦，同比增长56.9%；储能领域，据CESA统计，2025年上半年中国新型储能新增装机达51.2GWh，同比增长46%；中国企业同步加快国际化步伐， 2025年上半年获得海外储能订单/合作规模突破160GWh，同比增长220%。

  4、AI基建加速带动功率及模拟芯片需求，人形机器人打开半导体长期增长空间 AI数据中心领域，大模型及AI应用的不断涌现和迭代，使得全球算力需求呈现增长态势，数据中心建设规模持续扩大，服务器数量增加。据TrendForce预估，2025年全球AI服务器出货量约246万台，同比增长24.3%。AI算力的扩张有望持续推动高功率、高效率和高稳定性的AI服务器电源需求量开始上涨，为上游模拟及数模混合芯片产业带来了新的市场机遇。

  人形机器人领域，2025年上半年，中国人形机器人行业在商业落地层面实现里程碑式突破，在物流、工业等多个核心场景逐步实现规模化交付。据中国电子信息产业发展研究院预计，至2026年，人形机器人产业规模将突破200亿元。人形机器人商业拐点的临近，为传感器、功率半导体及模拟 IC 等上游核心器件注入强劲增长动能。

  在晶圆代工方面：功率器件领域，公司是中国最大的车规级IGBT生产基地之一，同时公司在SiC MOSFET出货量上稳居亚洲前列，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业；模拟IC领域，公司聚焦模拟IC持续开发国内独有、稀缺的高压BCD平台，是国内在该领域布局最完整的企业之一，公司的BCD工艺研发技术已达到国际领先水平，且多个新平台已实现规模量产；MEMS领域，公司是国内顶级规模、技术最先进的MEMS晶圆代工厂。据Chip Insights数据，公司已迈入晶圆代工“第一梯队”，跻身全球专属晶圆代工榜单前十，中国大陆第四。

  模组封装方面：公司的功率模块出货量位居中国市场前列。根据盖世汽车研究院发布的2024年功率器件（驱动）供应商装机量数据，公司在国内新能源乘用车终端销量排行榜位列第三。目前公司SiC MOSFET芯片及模组已全方面覆盖650-3300V碳化硅工艺平台，产品关键指标均处于国内领先水平。

  公司产品最重要的包含应用于车载、工控、高端消费、AI领域的功率控制、功率驱动、传感信号链等方面核心芯片及模组。

  1、功率控制方面，公司布局了“8 英寸硅基+12 英寸硅基+化合物”等多条产线，产品覆盖IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN等芯片和模组，产能覆盖中高端功率半导体。随着12英寸硅基产线寸碳化硅产线不断放量，成本优势与技术先进性将进一步凸显，推动公司在汽车、AI、高端消费、工控等领域的长期、快速增长。

  2、功率IC方面，公司布局高电压、大电流和高密度三大方向，提供完整的车规级晶圆代工服务。下一代集成更多智能数字的先进BCD工艺平台持续开发中，以实现用户应用在音频、数字电源和协议芯片等数模混合产品的需求。同时，针对目前已经很成熟量产的0.18um BCD40V/60V/120V平台工艺持续优化，助力客户不断的提高产品性能并减少相关成本，满足各类驱动、电源管理、接口和AFE等产品的代工需求。BCD SOI工艺，多个客户产品导入，应用于车载BMS AFE（电池管理系统芯片）。数模混合的集成单芯片工艺平台BCD 60V/120V BCD+eflash，满足车规G0标准，多个客户产品验证完成并进入量产，配合新能源汽车和工业4.0的集成SoC方案，提供高可靠性和更具成本优势的工艺方案。55纳米MCU平台（嵌入式闪存工艺）开发完成，满足车规G1的高可靠性要求，应用于物联网MCU和安全芯片。同时具有成本优势的下一代积极开发中。

  3、传感信号链方面，多家客户已量产。公司代工的硅麦克风、激光雷达中的振镜、压力传感等，助力新能源及智能化产业高质量发展。其中应用于高端消费、新能源汽车的第三代麦克风进入大批量量产，第四代双振膜麦克风设计迭代中；车载运动传感器进入批量生产阶段，消费类多轴传感器完成送样，预计下半年进入小批量试产验证；车载激光雷达扫描镜验证完成，进入小批量试产验证。同时，MEMS麦克风芯片已大量应用于AI语音识别，如AI眼镜等；应用于高性能语音交互的第五代麦克风正在研发中；用于 AI 数据传输芯片验证迭代中，预计下半年进入小批量试产验证。

  公司在晶圆代工模式的基础上，不断汲取市场需求的变化，通过在横向维度上打造覆盖设计 服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试环节的一站式芯片系统代工服务体系，在纵向维度上满足包括功率器件、功率 IC、MCU、模组在内的由点到面的代工需求。

  公司的一站式芯片系统代工模式整合了从设计服务、芯片制造、模组封装、应用验证到可靠性测试全方位服务，为不一样的客户提供更高效、灵活、可靠的整体解决方案。公司通过深度配合客户产品研究开发流程、各环节协同优化，帮助客户提升产品可靠性与性能、降低综合成本、缩短产品上市周期，与客户构筑形成长期合作伙伴关系。

  公司持续优化和提升经营策略，不断丰富和升级经营模式，逐步提升公司与客户之间合作方式的灵活性和多样性，增加公司与客户合作的黏性。

  上半年，公司持续发挥一站式芯片系统代工模式的优势，聚焦重点客户的核心需求，抓住国产芯片导入时间窗口，同时也加强研发力度，不断推出稀缺工艺技术平台,提升了公司的核心竞争力。

  （一）盈利能力稳定向好，归母净利同比减亏63.82%，首次实现单季度归母净利润转正 2025年上半年，公司归属于母企业所有者的净利润同比减亏63.82%，其中二季度归母净利润0.12亿元，首次实现单季度转正；毛利率3.54%，同比增长7.79个百分点；息税折旧摊销前利润（EBITDA）11.01亿元，息税折旧摊销前利润率31.51%。

  报告期内，公司实现主营收入 34.57 亿元，较上年同期增长 24.93%。收入规模的快速扩张，直接提升了公司的规模效应，摊薄产品的固定成本。同时公司全面施行成本优化及效率提升措施，持续革新工艺流程与材料应用，降低基础工艺平台的成本结构；深度挖掘并发挥供应链的战略协同价值，获取更具竞争力和更优质的供应服务保障；一直在优化量产产品的生产组织与作业流程，严格管控物料使用，提升整体生产效率；推行精细化管理模式，深植成本控制理念，形成自上而 下、全员参与的成本节约氛围。 随公司固定资产折旧等固定成本的逐渐消除及平稳的资产投入，将进一步减轻产品的成本 负担，直接转化为稳定的毛利率水平，从而提升公司的盈利能力，为公司未来的财务表现和市场 竞争力带来积极影响。 （二）四大应用领域同步发力，上半年主营收入同比增长25% 2025年上半年，核心业务在战略方向上的精准发力，从产品线布局、市场覆盖、客户关系等 多重维度的系统性市场拓展，对公司业绩的提升形成了强劲的驱动力。同时，公司加速海外市场 布局，已成功导入多个消费类、绿色出行类客户项目。 公司将车载、工控、消费作为收入高增长潜力领域，同时将AI作为重要战略领域。公司在主 营收入的增长，源于公司在四大应用领域的协同推动、同步拓展与深化。 报告期内，公司实现车载领域收入同比增长23%；工控领域收入同比增长35%；消费领域收入 同比增长2%。公司车载、工控、消费领域的收入占比分别为47%、19%、28%。 同时，公司将AI服务器、数据中心、具身智能、智能驾驶等新兴应用领域作为公司第四大核 心市场方向。上半年AI领域贡献营收1.96亿元，营收占比达6%，为公司在新一轮市场中占据了 领先的地位，为收入的可持续增长注入新的活力。 （三）“芯片系统代工”商业模式创新效果显现，模组封装业务同比增长超100% 作为半导体产业界的创新科技公司，公司“一站式芯片系统代工”的经营模式已获得市场和 客户的认可。企业来提供从设计服务、晶圆制造并延伸到模组封装、可靠性测试和应用验证等的一 站式芯片系统代工服务，既能直面市场需求、敏锐感知市场方向，又能为计算机显示终端提供模块化的 产品及服务。 报告期内，随着与计算机显示终端的合作深度和粘性的慢慢地增加，公司车载功率模组批量交付，光 伏、储能模块稳定大规模量产等，公司模组封装业务直接贡献营业收入同比增长超100%。其中车 规功率模块收入增长超200%。 （四）产品研制与市场拓展不断实现新的突破，深度布局人工智能（AI）应用领域 车载领域，公司6英寸SiC MOSFET新增项目定点超10个，新增了5家进入量产阶段的汽车客户；国内首条8英寸SiC产线已实现批量量产，关键性能指标业界领先；汽车业务从单器件衍生逐步提升到系统解决方案，为动力域、底盘域等五大领域提供一站式芯片系统代工解决方案，上半年，已导入客户10余家，覆盖多个产业头部企业，部分客户将于2025年下半年实现量产。

  AI领域，（1）AI服务器、数据中心等应用方向：数据传输芯片进入量产；发布了第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台，获得关键客户导入；应用于 AI服务器和 AI加速卡的电源管理芯片已实现大规模量产；中国首个 55nm BCD集成 DrMOS芯片通过客户验证。（2）具身智能及其他：大规模应用于语音交互、姿态识别、运动捕捉、机械手抓取与操作、环境感知、导航定位等场景，AI眼镜用麦克风芯片、机器人用激光雷达芯片实现突破。（3）智能驾驶应用方向，全面扩展 MEMS代工服务在车载方向的应用，如 ADAS智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

  消费领域，新一代高性能MEMS麦克风研发平台搭建完成，已完成产品送样，填补了国内技术 空白；高配置手机、可穿戴电子科技类产品、笔电等有关技术平台实现全面扩展；IPM平台产品完成空调和 洗衣机应用产品覆盖；PIM平台代工产品逐渐进入商用空调领域。 工控领域，开发了行业定制芯片，引领组串式光储功率市场；全新封装的工业变频模组进入 量产阶段，帮助客户提升系统可靠性和性价比，模组中采用公司自研微沟槽场截止技术芯片；建 立了完整的风光储产品系列，并完成头部客户送样定点。

  （五）重组事项获注册批准，加速公司深度整合，助力碳化硅业务的加快速度进行发展 为保障可持续发展的竞争力，公司通过收购控股子公司少数股权，实现对子公司的全资控股，集中优势资源重点支持 SiC MOSFET等更高技术产品和业务的发展，强化核心竞争力。同时进一步管控整合8英寸硅基产能，充分的发挥协同效应，深化公司在芯片系统代工领域的布局。

  2025年7月18日，公司收到中国证券监督管理委员会出具的《关于同意芯联集成电路制造股份有限公司发行股份购买资产注册的批复》，加速推动公司深度整合的进程，也将助力碳化硅业务的快速发展。

  2025年上半年，公司向中高层管理人员、核心技术（业务）骨干等符合预留授予条件的354名激励对象授予2,291.60万股第二类限制性股票。

  公司股权激励计划的积极进展，是公司人才战略和长期激励体系成功运行的有力证明。不仅有效保留和激励了核心骨干力量，增强了团队的凝聚力和战斗力，也为公司未来的持续创新和高水平质量的发展奠定了坚实的人才基础。

  报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项

  公司为客户提供从设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证到可靠性测试的一站式芯片和模组的代工服务，高效整合制造端与封测端的优势，切实解决芯片代工制造中的诸多痛点，有效提升了产品的安全性与可靠性，大幅度缩短了产品从制造到封装测试的周期，确定保证产品交付的准时性，也让计算机显示终端的责任划分更加清晰，明显降低客户的显性和隐性成本。

  同时，借助一站式芯片系统代工服务的模式，公司不断拓宽客户种类。除传统的设计企业外，公司也与诸多终端主机厂和系统公司做了深度合作，实现了丰富、有纵深的客户布局。

  公司坚持自主研发，从功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向出发，持续研发应用于AI、新能源汽车、工业控制、高端消费领域所需要产品上的先进工艺及技术，为客户提供多样化的晶圆代工和封装测试等系统方案。

  公司不断利用自身技术优势，持续开发产品附加值较高的技术平台并加大应用推广。报告期内，公司加强AI新兴应用领域的研发和工艺平台的开发，开发应用于AI服务器电源、数据中心、机器人等相关这类的产品，并已获得重大突破。

  同时，在模组方面，公司产品系列完整，大范围的应用于新能源汽车、光伏风电、智能电网及其他变频领域，和国内外先进终端紧密结合，技术水准不断提升。随着终端市场的快速发展和行业技术的迭代更新，公司产品结构一直在升级，产品品种类型快速拓展，业务生态模式也更加灵活。

  公司坚持自主研发的路线，重视研发体系建设，在“市场+技术”双轮驱动的发展的策略下，持续研发先进的工艺及技术，提供多样化的晶圆代工和封装测试等系统代工方案。

  公司汇聚了一支技术实力深厚、经验比较丰富的开发团队，其中团队核心成员均是在行业内深耕数十年的资深研发技术人员，其专业能力和创造新兴事物的能力，为公司带来了源源不断的技术突破和创新发展，成为了公司持续进步和行业领先的重要保证。

  公司持续保持高额的研发投入，积极推动科学技术创新，全力促进成果转化。报告期内，公司研发投入9.64亿元，占据营业收入27.59%。

  公司制定并实施了符合车规级标准的供应商管理准入体系，构建了供应商绩效评估体系，从而在整个供应商生命周期内，包括质量改进、市场占有率分配、以及升降级制度等方面，实现了全面的供应商管理。

  公司秉持对供应链多元化和国内外双循环机制构建的格外的重视，已在关键业务领域与国内外主流供应商建立了紧密的战略合作伙伴关系，共同应对市场变化和策略调整，确保公司能够长期稳健发展。公司通过不断推进直接材料和关键零部件的多元化项目，其多元化比例已处于国内领先水平。此外，通过与核心战略供应商的深度协作，公司获得了高优先级的服务和具有成本竞争力的长期合作方案，为公司的持续发展提供了坚实保障。

  公司是目前国内少数提供车规级芯片代工的企业之一。车规级芯片面临着复杂的使用环境和应用工况，对产品的安全性、可靠性、外部环境兼容性、常规使用的寿命等方面的要求相比工业级和消费级芯片更为严格。因此，车规级芯片制造门槛高，产业化周期长，极其考验代工厂的研发技术能力和质量管理能力。公司的车规级智慧工厂在提高生产效率、保证产品质量以及降低经营成本方面发挥着重要的作用。

  公司已攻克各种可靠性、安全性的技术难题，建立了从研发到大规模量产的全流程车规级质量管理体系，通过了ISO9001（质量管理体系）、IATF16949（汽车质量管理体系）等一系列国际质量管理体系认证，以及ISO26262（道路车辆功能安全体系）体系认证。公司的车规级工厂遵循严格的质量管理体系标准，并引入 AI 辅助缺陷判断等先进的质量管理工具和方法逐步提升质量水平，预防潜在的质量风险。通过深化全流程质量管理，产品质量具有卓越的稳定性和可靠性，从而获得更加多客户定点。

  (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

  公司确立了功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向，在新能源汽车，风光储，电网和水利工程、数据中心等新基建项目，高端消费领域所需要的产品上，持续研发先进的工艺及技术。

  公司产品方向最重要的包含 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 、BCD为主的功率半导体，MEMS为主的传感信号链，以及功率相关的模组封装等。公司坚持走核心技术自主研发的道路，以追求极致产品性能为目标。核心技术及其先进性如下：

  1) 覆盖主流第4代-第7代IGBT技术代系，全电压范围 650V~6500V 2) 应用于车载、家电及工业新能源、工控等市场 3) 超高压器件

  1) 芯片技术先进且全面，覆盖电池管理，功率电源、汽 车电子等市场 2) 低RSP，低导通电阻、低开关损耗等性能，实现高功 率密度，高效率和高可靠性价值 3) 支持客制化集成

  1）大范围的应用于车载主驱大功率逆变模组 2）量产平台的高良品率、优秀的参数一致性 3）低RSP，低导通电阻、低开关损耗等性能，实现高功 率密度，高效率和高可靠性价值 4) 优异的器件高短路能力 5) 支持多样金属膜层，满足多种封装需求

  使用先进的封装技术提高产品可靠性、模块能量损耗低 、散热能力强、高功率密度、适应高温高湿等恶劣环境

  1） 覆盖 0.35um-0.18μm 的技术节点车规G0高压平台 2） 支持超大范围的工作电压 5V-650V 3） 国内稀缺的深沟槽隔离先进技术

  1) 技术创新，卓越的过电流能力和快速开关能力，满 足高算力服务器应用 2) 具有竞争力的器件面积，降本优势显著，实现用户 差异化产品需求 3) 高可靠性

  1) SoC的高压BCD工艺平台，实现系统集成 2) 高可靠性车规G0高压平台

  1) 驱动+开关单芯片集成技术平台，优化成本，简化系 统方案 2) 提供更好的电路保护和故障检测功能

  车规G0数模和控制集成的工艺模拟工艺结合全球公认的 高性能高可靠性闪存

  1）信噪比覆盖58dB~72dB 2）应用覆盖全面，包含国内外高配置手机、TWS耳机、消 费类电子以及车载麦克风等应用

  1) 具备完整的工艺平台，包含加速度计、陀螺仪、以 及IMU 2) 产品主要使用在于消费类手机、TWS耳机，工业级以及 车载惯性导航、底盘控制、气囊等领域

  1) 具备完整的工艺平台，满足多种量程的压力传感器 2) 应用覆盖全面，车载应用广泛，如油压、尾气检测 等

  1) 平台成熟完整，工艺支持各种不一样的尺寸的扫描镜 2) 应用于车载激光雷达，工业级应用、数据中心光模 块等领域

  1) GaAs基VCSEL激光器工艺平整 2) 应用领域广泛，如消费类电子、扫地机器人、车 载激光雷达、数据中心光模块等

  2025 年上半年，公司继续加大研发投入，引进高端技术人才，不断进行技术迭代，在功率、MEMS、BCD、MCU四大主要技术方向持续取得重大突破，市场应用领域不断拓展。

  功率器件领域，先进 SiC芯片及模块规模量产，工艺平台实现了 650V到 3300V系列的全面布局，掌握核心先进制造工艺，产品关键指标均处于国内领先水平，大范围获得国内外主流车厂和 Tier1的定点，国内首条 8英寸 SiC产线已量产；新一代 IGBT产品，关键性能指标业界领先，良好的性价比助推公司逐步扩大市场占有率。

  车载模拟 IC领域，已推出多个国内领先、全球先进的技术平台，填补了国内高压大功率数字模拟混合信号集成 IC的空白；高边智能开关芯片制造平台在客户端完成产品验证，同时正在开发下一代；高压 BCD SOI集成方案工艺平台获得重要车企定点。

  AI 服务器、数据中心等应用方向：AI 服务器电源用的功率器件以及数据传输芯片已进入小规模试产；应用于 AI服务器和 AI加速卡的电源管理芯片已实现大规模量产；中国首个 55nm BCD集成 DrMOS 芯片通过客户验证，可实现更高密度电源管理方案，满足大电流开关；发布了第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台，获得关键客户导入。

  具身智能及其他：大规模应用于语音交互、姿态识别、运动捕捉、机械手抓取与操作、环境感知、导航定位等广泛场景，AI眼镜用麦克风芯片、机器人用激光雷达芯片实现突破。

  智能驾驶应用方向，全面扩展 MEMS代工服务在车载方向的应用，如 ADAS 智能驾驶的惯导、激光雷达 VCSEL、微镜芯片、压力传感器以及智能座舱语音识别麦克风芯片等。

  手机以及可穿戴应用方向：公司传感器和锂电池保护芯片产品已经占据市场和技术领先位置，推出了高性能麦克风平台和新一代锂电池保护芯片平台；同时推出应用于消费领域的低压 40V BCD以及数模混合技术平台，实现规模量产，产品进入多个手机终端应用。

  家电应用领域：公司推出智能功率模块（IPM）、PIM功率模组、各类单管等全系列空冰洗厨系统解决方案，已成功在家电客户大批量供货；公司提前布局 SiC和 GaN等第三代半导体在家电领域应用，为客户定制能效升级应对方案；通过持续技术升级和产品迭代，公司市场占有率大幅提升。

  公司面向大功率光伏和储能电站市场，已率先推出新一代使用高压碳化硅芯片的三电平功率模块，引领行业方向。

  面向风电等大功率高可靠性的应用，推出新一代高结温，高压，高可靠性先进产品，与主要风电客户陆续展开合作。

  面向传统工业变频市场，不断加大工业变频功率产品系列市场推广力度，推出使用最新一代IGBT芯片的全新封装产品，新型工业变频模块系列进入量产试产。

  高压输配电和高压 SVG方面，4500V IGBT成功挂网应用，实现量产，支持配合水利工程等大基建项目的输配电和 SVG的配套建设。

  工艺达到国际领先水平，实现 规模量产 第二代先进节点工 艺开发，提升客户产品竞争力

  应用于数模混合IC包括音频、 数字电源、DCDC、协议芯片和 电源管理芯片

  180纳米中高压车规BCD45V-120V大规模 量产；性能提升的下一代工艺平台开发中

  下一代SiC沟槽栅平台平台建设，基于 750V/1200V不同电压平台产品，产品完成 性能测试

  新一代沟槽型场截止IGBT技术完成开发， 650V~1700V全面导入，并实现大规模量 产，器件性能达到国际领先水平。

  芯片在电压650V到1,700V系 列，电流150A到500A系列的 全系列量产，性能达到国际领 先水平

  单面塑封车载模块实现IGBT 和SIC模块量产，实现用户高 性能高可靠性的需求

  新一代紧凑型高性能灌封模块完成客户导 入和量产，产品覆盖70KW 到200KW主流 功率段

  车规G0 180纳米BCD嵌入式闪存工艺平台 多个客户导入，产品验证完成并进入量产

  提供低功耗、高性能及高可靠 性的车规MCU工艺平台，性能 提升和降本方案持续开发

  8英寸SiC MOSFET平成模组可靠性验 证，通过客户的整机验证

  完成8英寸量产，性能达到国 际同类厂商水平，实现高性能 和低成本的芯片完成验证

  应用于消费LED、充电桩、服务 器、光伏、车载等的高可靠 性、高性能超结MOSFET芯片