三安半导体请求发光二极管及发光设备专利进步二极管的作业稳定性和可靠性

  国家知识产权局信息数据显现，泉州三安半导体科技有限公司请求一项名为“一种发光二极管及发光设备”的专利，公开号CN121262960A，请求日期为2025年10月。

  专利摘要显现，本请求供给一种发光二极管及发光设备。该发光二极管包含阻隔台面和发光区台面，阻隔台面环绕发光区台面设置，且阻隔台面与发光区台面之间具有距离区域；发光区台面下方设置有吸光资料层，吸光资料层的外边际坐落距离区域所对应的区域内。吸光资料层的外边际设置于距离区域所对应的区域内，可以吸收工艺中发生的杂散光或反射光，改进距离区域的光刻图形精度，消除因光刻胶掩盖氮化镓导致发生氮化镓残留的问题，堵截阻隔台面与发光区台面之间潜在的漏电流途径，下降发光二极管的漏电流，进步发光二极管的作业稳定性和可靠性。

  天眼查资料显现，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，坐落泉州市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。经过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外出资了3家企业，参加招投标项目60次，专利信息624条，此外企业还具有行政许可368个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。