中博芯半导体请求二极管芯片专利进步二极管芯片的发光功率

  国家知识产权局信息数据显现，北京中博芯半导体科技有限公司请求一项名为“二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制作办法”的专利，公开号CN121262953A，请求日期为2025年8月。

  专利摘要显现，本请求供给了一种二极管芯片、发光二极管、设备和二极管芯片的制作办法，应用于半导体技术领域。该二极管芯片包含支撑层、有源层、p型触摸层、电子阻挡层和n型触摸层，有源层设置在支撑层沿榜首方向的一侧的榜首区域，p型触摸层设置在支撑层沿榜首方向的一侧的第二区域，p型触摸层与有源层触摸，电子阻挡层设置在有源层违背支撑层的一侧，n型触摸层设置在电子阻挡层违背有源层的一侧。本请求施行例供给的二极管芯片，不光能够进步进入有源层的p型载流子的数量，一起能够下降进入有源层的n型载流子的数量，从而能大大的进步有源层中p型载流子和n型载流子的对称性，进步二极管芯片的发光功率。

  天眼查资料显现，北京中博芯半导体科技有限公司，成立于2020年，坐落北京市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本13090.44万人民币。经过天眼查大数据分析，北京中博芯半导体科技有限公司参加招投标项目3次，产业线条，此外企业还具有行政许可5个。

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