三安半导体请求发光二极管及发光设备专利可有很大成效防止二极管呈现漏电景象

  国家知识产权局信息数据显现，泉州三安半导体科技有限公司请求一项名为“发光二极管及发光设备”的专利，公开号CN121310735A，请求日期为2025年12月。

  专利摘要显现，本发明触及半导体制作技术领域，特别触及一种发光二极管和发光设备，发光二极管包含半导体叠层和钝化层，半导体叠层包含顺次层叠的榜首半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有榜首台面、高于榜首台面的第二台面和上下两头别离衔接第二台面和榜首台面的侧壁，榜首台面显露部分榜首半导体层，钝化层掩盖部分半导体叠层并至少显露部分侧壁。借此，可有很大成效防止发光二极管呈现漏电景象的一起，保证亮发光二极管的度及可靠性不受影响。

  天眼查资料显现，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，坐落泉州市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。经过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外出资了3家企业，参加招投标项目60次，专利信息629条，此外企业还具有行政许可368个。

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